| 发明名称 | 具有应力集中结构的SOI晶圆的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种具有应力集中结构的SOI晶圆的制造方法，包括：提供第一晶圆和第二晶圆；对第一晶圆进行热氧化，在晶圆表面形成氧化硅薄膜；对第一晶圆进行氢离子注入，以便在第一晶圆里形成一个富含氢元素的薄层；对氧化硅薄膜进行图形化以形成凹槽区域，其中凹槽区域对应后续NMOS器件的沟道下方区域；对第一晶圆和第二晶圆进行表面处理，然后将两者键合；对第一晶圆和第二晶圆执行智能剥离以形成以第二晶圆为支撑的SOI晶圆；对新形成的SOI晶圆进行退火处理并进一步平坦化。 | ||
| 申请公布号 | CN105226004A | 申请公布日期 | 2016.01.06 |
| 申请号 | CN201510680505.1 | 申请日期 | 2015.10.19 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 雷通 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 智云 |
| 主权项 | 一种具有应力集中结构的SOI晶圆的制造方法，其特征在于包括：第一步骤：提供第一晶圆和第二晶圆；第二步骤：对第一晶圆进行热氧化，在晶圆表面形成氧化硅薄膜；第三步骤：对第一晶圆进行氢离子注入，以便在第一晶圆里形成一个富含氢元素的薄层；第四步骤：对氧化硅薄膜进行图形化以形成凹槽区域，其中凹槽区域对应后续NMOS器件的沟道下方区域；第五步骤：对第一晶圆和第二晶圆进行表面处理，然后将两者键合；第六步骤：对第一晶圆和第二晶圆执行智能剥离以形成以第二晶圆为支撑的SOI晶圆；第七步骤：对新形成的SOI晶圆进行退火处理并进一步平坦化。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号 | ||