一种提升LED产品良率的量子阱区生长工艺

摘要

一种提升LED产品良率的量子阱区生长工艺，是在LED的量子阱区生长过程中，在由垒层生长温度降温至阱层生长温度过程中，通过设定中间温度值点，将整个降温过程划分为至少两个变温区间，每一个变温区间设定一个变温系数，以此调整温度变化速率，使得在阱层开始生长时的温度最大程度地接近阱层设计温度，使得温度过冲现象减弱，甚至消除。本发明解决了LED量子阱区生长过程中温度过冲问题，达到量子阱阱层生长区间温度更加平稳，提高了LED产品波长重复性良率以及阱层晶体质量和LED内量子效率。

主权项

一种提升LED产品良率的量子阱区生长工艺，其特征是，在LED的量子阱区生长过程中，在由垒层生长温度降温至阱层生长温度的过程中，通过设定中间温度值点，将整个降温过程划分为至少两个变温区间，每一个变温区间设定一个变温系数，以此调整温度变化速率，使得在阱层开始生长时的温度最大程度地接近阱层设计温度，使得温度过冲现象减弱，甚至消除。