| 发明名称 | 一种消除影响栅极氧化层厚度的方法及装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体制造设备领域，尤其涉及一种消除影响栅极氧化层厚度的方法及装置。方法包括：机台作业对栅极氧化层厚度有影响的制成；禁掉对栅极氧化层厚度有影响的制成；触发湿氧的制成。本发明的装置包括：炉体；影响气体进气口，设置于炉体的下方，通入对栅极氧化层厚度有影响的气体；湿氧进气口，设置于炉体的下方，通入湿氧以去除对栅极氧化层厚度有影响的气体；排气口，设置于炉体的上方，排出炉体内的制成产生的气体。 | ||
| 申请公布号 | CN105225936A | 申请公布日期 | 2016.01.06 |
| 申请号 | CN201510663203.3 | 申请日期 | 2015.10.14 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 郎玉红;祁鹏;王智;苏俊铭 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人 | 俞涤炯 |
| 主权项 | 一种消除影响栅极氧化层厚度的方法，其特征在于，所述方法包括：机台作业对栅极氧化层厚度有影响的制成；禁掉所述对栅极氧化层厚度有影响的制成；触发湿氧的制成。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 | ||