| 摘要 |
<p>외부 스트레스 및 정전기 방전에 의한 형상 불량이나 특성 불량 등의 반도체 장치의 불량을 저감하기 위해서다. 신뢰성이 높은 반도체 장치를 제공하기 위해서다. 또한, 제작 공정 중에 있어서도, 상기 불량을 저감함으로써 반도체 장치의 제조 수율을 향상시키기 위해서다. 반도체 장치는, 외부 스트레스에 대한 내(耐)충격층, 또는 그 충격을 확산하는 충격 확산층에 의하여 협지된 반도체 집적 회로와 반도체 집적 회로를 덮는 도전층을 갖는다. 반도체 집적 회로를 덮는 도전층에 의하여 반도체 집적 회로의 정전기 방전에 의한 정전기 파괴(회로의 오동작이나 반도체 소자의 손상)를 방지한다.</p> |
