NANO LIGHT EMITTING DIODES OR MICRO LIGHT EMITTING DIODES FABRICATED BY USING ION IMPLANTATION AND ITS FABRICATING METHOD
摘要
<p>이온주입이나 플라즈마 도핑기술을 이용하여 제조한 발광다이오드 및 그 제조방법이 개시된다. 본 발명에 따른 발광다이오드는 기판 그리고 n-GaN층과 p-GaN층 사이에 형성된 활성층을 포함하고 이온주입을 통하여 절연부분을 형성하고 이온주입을 통하여 n형 GaN 부분을 형성한다. 이와 같은 구조에 의해 식각을 이용하여 발광다이오드를 제작하는 경우에 발생하는 문제를 해결할 수 있다.</p>
