| 摘要 |
본 발명의 과제는, 실리콘막과 같은 소정 원소를 포함하는 박막을 저온 영역에서 형성하는 것이다. 기판에 대해 소정 원소 및 할로겐기를 포함하는 제1 원료를 공급함으로써, 소정 원소 및 할로겐기를 포함하는 제1층을 형성하는 공정과, 기판에 대해 소정 원소 및 아미노기를 포함하는 제2 원료를 공급함으로써, 제1층을 개질하여 제2층을 형성하는 공정을 포함하는 사이클을 소정 횟수 행하는 공정을 갖고, 사이클을 소정 횟수 행하는 공정에서는, 기판의 온도를, 제2 원료에 있어서의 소정 원소로부터 아미노기를 포함하는 리간드가 분리되는 온도이며, 분리된 리간드가 제1층에 있어서의 할로겐기와 반응하여 제1층으로부터 할로겐기를 제거함과 함께, 분리된 리간드가 제1층에 있어서의 소정 원소와 결합하는 것을 저해하는 온도이며, 또한 제2 원료에 있어서의 리간드가 분리된 소정 원소가 제1층에 있어서의 소정 원소와 결합하는 온도로 한다. |
