摘要 |
확산 방지층, 그의 제조 방법, 박막 트랜지스터(TFT), 어레이 기판 및 디스플레이 장치가 제공되고, 디스플레이 장치 제조 분야와 관련되며, PVD 또는 CVD에 의해 탄탈륨 이산화물 확산 방지층을 제조하는 프로세스에서 높은 분위기 온도가 필요하여 게이트 전극이 휘발되게 하고 디스플레이 장치의 성능을 손상시키는 문제를 해결할 수 있다. 확산 방지층을 제조하기 위한 방법은 전해질 용액(3) 내에 도전성 베이스(1) 및 음극(4)을 배치하는 단계, 도전성 베이스(1)를 양극으로 취하는 단계, 및 에너자이징 후에 도전성 베이스(1) 상에 탄탈륨 이산화물 확산 방지층을 형성하는 단계를 포함한다. |