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<p>양호한 특성의 단결정 반도체층을 갖는 반도체 기판을 CMP 처리나 고온의 열 처리를 필수로 하지 않고, 제작하는 것을 목적의 하나로 한다. 또한, 반도체 기판의 생산성의 향상을 목적의 하나로 한다. 제 1 기판 위에 형성된 제 1 단결정 반도체층을 시드층으로서 기상 에피택시얼 성장을 행함으로써, 제 1 단결정 반도체층 위에 제 2 단결정 반도체층을 형성하고, 양층(兩層)의 계면에서 분리를 행하고, 제 2 기판 위에 제 2 단결정 반도체층을 전재(轉載)하여 반도체 기판을 얻는 것과 함께, 상기 시드층에 대하여 레이저 처리를 행하여 재활용한다.</p> |
