发明名称 Manufacturing method of semiconductor substrate and semiconductor device
摘要 <p>본 발명은 양호한 결정성을 갖고 고성능의 반도체 소자를 형성하는 것을 가능하게 하는 반도체 기판을 제공한다. 취화층을 가지는 단결정 반도체 기판과 베이스 기판을 절연층을 사이에 개재하여 접합하고, 열 처리에 의해서, 취화층을 경계로 하여 단결정 반도체 기판을 분리하여, 베이스 기판 위에 단결정 반도체층을 고정하고, 단결정 반도체층에 레이저광을 조사하여, 단결정 반도체층을 부분 용융 상태로 하여 재결정화하고, 결정 결함을 수복(修復)한다. 또, 단결정 반도체층의 결정성을 최선으로 하는 레이저광의 에너지 밀도를 마이크로파 광도전 감쇠법으로 검출한다.</p>
申请公布号 KR101581728(B1) 申请公布日期 2016.01.04
申请号 KR20090093124 申请日期 2009.09.30
申请人 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 发明人 모모 준페이;네이 코세이;혼다 히로아키;코야마 마사키;시모무라 아키히사
分类号 B23K26/0622;H01L21/02;H01L21/265;H01L27/12 主分类号 B23K26/0622
代理机构 代理人
主权项
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