具有金属闸极之半导体元件及其制作方法

摘要

具有金属闸极之半导体元件之制作方法，首先提供一表面形成有一第一电晶体与一第二电晶体之基底，且该第一电晶体内形成有一第一闸极沟渠。该第一电晶体具有一第一导电型式，该第二电晶体具有一第二导电型式，且该第一导电型式与该第二导电型式相反。接下来依序于该第一闸极沟渠内形成一第一功函数金属层与一牺牲遮罩层、随后移除部分该牺牲遮罩层以暴露出部分该第一功函数金属层。之后，移除暴露之部分该第一功函数金属层，以于该第一闸极沟渠内形成一U形功函数金属层。而在形成该U形功函数金属层之后，系移除该牺牲遮罩层。

主权项

一种具有金属闸极之半导体元件之制作方法，包含有：提供一基底，该基底表面形成有一第一电晶体与第一第二电晶体，该第一电晶体具有一第一导电型式而该第二电晶体具有一第二导电型式，该第一导电型式与该第二导电型式相反，且该第一电晶体内形成有一第一闸极沟渠(gate trench)；于该第一闸极沟渠内形成一第一功函数金属(work function metal)层；于该第一闸极沟渠内形成一牺牲遮罩层(sacrificial masking layer)；移除部分该牺牲遮罩层，以暴露出部分该第一功函数金属层；移除暴露之部分该第一功函数金属层，以于部分之该第一闸极沟渠内形成一U形功函数金属层，该U形功函数金属层之最高部份系低于该第一闸极沟渠之开口；以及移除该牺牲遮罩层。