单晶ＳｉＣ基板之表面加工方法、其制造方法及单晶ＳｉＣ基板之表面加工用研磨板

摘要

晶SiC基板之表面加工方法系将研磨板安装于研磨装置上，藉由前述研磨板产生氧化产物，一边将该氧化产物去除一边进行表面研磨，该研磨板系在具有平坦面之基础金属上依序贴有软质垫片、硬质垫片者，其中在前述硬质垫片的表面固定有比单晶SiC软且具有能带间隙之由至少1种以上金属氧化物所构成之磨粒。

主权项

一种单晶SiC基板之表面加工用研磨板，其系在具有平坦面之基础金属上依序贴有软质垫片、硬质垫片之研磨板，其中在该硬质垫片的表面固定有由比单晶SiC软且具有能带间隙之至少1种以上的金属氧化物所构成之磨粒，该磨粒系以结合剂及/或接着剂加以固定。