发明名称 纵型电浆处理装置及半导体处理方法
摘要 明系关于一种用于一半导体处理之纵型电浆处理装置,其包括一处理容器,该处理容器具有一经组态以在一纵向上隔有间隔地容纳复数个目标基板之处理场域及一在该处理场域以外之边际空间。在处理该等目标基板时,一控制部分同时执行一处理气体自一处理气体供应回路至该处理场域之供应及一阻断气体自一阻断气体供应回路至该边际空间之供应,以防止该处理气体流入该边际空间。
申请公布号 TWI515763 申请公布日期 2016.01.01
申请号 TW096111446 申请日期 2007.03.30
申请人 东京威力科创股份有限公司 发明人 高桥俊树;福岛讲平;织户康一;佐藤润
分类号 H01L21/00(2006.01) 主分类号 H01L21/00(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项 一种用于一半导体处理之纵型电浆处理装置,该装置包含:一处理容器,其具有一经组态以在一纵向上隔有间隔地容纳复数个目标基板之处理场域(process field)及一在该处理场域以外之边际空间(marginal space);一支撑元件,其经组态以支撑该处理场域内部之该等目标基板;一激发机构,其包括一设置于一与该处理场域连通之空间中之电浆产生区域,该电浆产生区域在一纵向上延伸超过一对应于该处理场域之长度;数个处理气体供应回路,其经组态以向该处理场域供应一第一及/或第二处理气体,使得该第一及/或第二处理气体在通过该电浆产生区域时被激发,且该第一及/或第二处理气体被供应至该处理场域以形成基本上水平之气流;一排气系统,其经组态以自该处理场域排放气体,且包括一面对该电浆产生区域之排气口,其中该处理场域插入于该排气口与该电浆产生区域之间;一阻断气体供应回路,其经组态以向该边际空间供应一阻断气体,使得该阻断气体不直接供应至该处理场域,而是直接供应至该边际空间;及一控制部分,其经组态以控制该装置之一操作,其中,在处理该等目标基板时,该控制部分同时执行该第 一及/或第二处理气体自上述处理气体供应回路至该处理场域之供应及该阻断气体自该阻断气体供应回路至该边际空间之供应,以防止该第一及/或第二处理气体流入该边际空间。
地址 日本