发明名称 具有浮动闸极之非依电性记忆体胞元之资料保留性测试方法
摘要 降低测试时间的方法,用以判定具有用来储存电荷的浮动闸极之记忆体胞元的资料保留性,来判定该记忆体胞元是否有来自浮动闸极之漏电流。此记忆体胞元之特性在于漏电流的漏电速率,依浮动闸极之电压之绝对值而定。此记忆体胞元进一步的特性在于有一第一抹除电压与一第一规划电压,于正常运作期间施加,以及于正常运作期间检出的一第一读取电流。本方法施加大于第一抹除电压之一电压来过度抹除该浮动闸极。包括浮动闸极之记忆体胞元接受一单一高温烘烤。该记忆体胞元接着基于该单一高温烘烤来测试浮动闸极之资料保留性。一替代法施加大于第一规划电压之一电压来过度规划该浮动闸极。包括浮动闸极之记忆体胞元接受一单一高温烘烤。该记忆体胞元接着基于该单一高温烘烤来测试浮动闸极之资料保留性。
申请公布号 TWI515744 申请公布日期 2016.01.01
申请号 TW101140508 申请日期 2012.11.01
申请人 超捷公司 发明人 马克夫 维多;俞钟元;班萨尔 沙蒂希;柯多夫 亚历山大
分类号 G11C29/50(2006.01);G11C29/00(2006.01) 主分类号 G11C29/50(2006.01)
代理机构 代理人 恽轶群;陈文郎
主权项 一种测试非依电性记忆体胞元的方法,该胞元具有用来储存电荷之一浮动闸极,其中该方法系用以在记忆体胞元具有来自该浮动闸极且依该浮动闸极之电压之绝对值而定的漏电流之情况下测试该记忆体胞元,其中该胞元的特性在于有一第一抹除电压、一第一规划电压与一第一读取电压,于正常运作期间施加,以及一经抹除记忆体胞元之一第一读取电流于正常运作期间检出,其中该方法包含:施加大于该第一抹除电压的一电压来过度抹除该浮动闸极;使包括该浮动闸极的该记忆体胞元接受一单一高温烘烤;以及藉由施加低于该第一读取电压之一读取电压,来测试该浮动闸极的资料保留性。
地址 美国