发明名称 |
切割晶圆背侧上具有焊料凸块的晶圆 |
摘要 |
用于具有背侧焊料凸块的晶圆的混合式雷射划线及电浆蚀刻切割制程之方法。例如,一种切割半导体晶圆的方法,该半导体晶圆之前侧上具有积体电路,该半导体晶圆之背侧上具有对应的金属凸块阵列,该方法涉及施加切割胶带至该半导体晶圆之该背侧,该切割胶带覆盖该等金属凸块阵列。该方法还涉及随后在该半导体晶圆之该前侧上形成遮罩,该遮罩覆盖该等积体电路。该方法还涉及使用雷射划线处理在该半导体晶圆之该前侧上形成刻划线,该等刻划线被形成在该遮罩中并介于该等积体电路之间。该方法还涉及电浆蚀刻该半导体晶圆穿透该等刻划线,以切割该等积体电路,在该电浆蚀刻期间该遮罩保护该等积体电路。
|
申请公布号 |
TW201601243 |
申请公布日期 |
2016.01.01 |
申请号 |
TW104111814 |
申请日期 |
2015.04.13 |
申请人 |
应用材料股份有限公司 |
发明人 |
类维生;帕帕那詹姆士S;伊尔亚帕尔纳;伊顿贝德;库默亚杰 |
分类号 |
H01L21/683(2006.01);H01L21/78(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/683(2006.01) |
代理机构 |
|
代理人 |
蔡坤财;李世章 |
主权项 |
一种切割一半导体晶圆的方法,该半导体晶圆之一前侧上包含积体电路,该半导体晶圆之一背侧上包含对应的金属凸块阵列,该方法包含以下步骤:施加一切割胶带至该半导体晶圆之该背侧,该切割胶带覆盖该等金属凸块阵列;及随后在该半导体晶圆之该前侧上形成一遮罩,该遮罩覆盖该等积体电路;使用一雷射划线处理在该半导体晶圆之该前侧上形成刻划线,该等刻划线被形成在该遮罩中并介于该等积体电路之间;以及电浆蚀刻该半导体晶圆穿透该等刻划线,以切割该等积体电路,在该电浆蚀刻期间该遮罩保护该等积体电路。
|
地址 |
美国 |