复合晶圆及其制法

摘要

晶圆10系藉由直接接合将支撑基板12与半导体基板14予以黏合者。支撑基板12系氧化铝纯度为99%以上的透光性氧化铝基板。该支撑基板12在可视光区域的直线穿透率系40%以下。此外，支撑基板12之波长200至250nm的前方全光线穿透率系60%以上。支撑基板12之平均结晶粒径系10μm至35μm。半导体基板14系单晶矽基板。此种复合晶圆10系具有与SOS晶圆相等的绝缘性及导热性，可以低成本制作，且易于获得大口径晶圆。

主权项

一种复合晶圆，包括半导体基板以及藉由直接接合而与前述半导体基板黏合的支撑基板；前述支撑基板之材料系多晶的透光性陶瓷；前述半导体基板之材料系矽；前述支撑基板之波长200至250nm的前方全光线穿透率系较波长555nm的前方全光线穿透率为高。