| 发明名称 | 基板处理装置 | ||
| 摘要 | 明旨在提供一种基板处理装置，对基板供给处理气体，以进行处理，其特征在于包含：电极，为对该处理气体供给电力，活化该处理气体，而沿该基板固持具之长度方向延伸设置；构造物，在排列有该基板之高度区域，沿该基板固持具之长度方向延伸设置于该反应容器内；及排气口，用来使该反应容器内真空排气；且该构造物，配置于：俯视观察该反应容器时，自该反应容器之中心部观察，朝该电极中最接近该构造物之部位之左方向或右方向分别远离40度以上之区域。 | ||
| 申请公布号 | TW201600627 | 申请公布日期 | 2016.01.01 |
| 申请号 | TW104109268 | 申请日期 | 2015.03.24 |
| 申请人 | 东京威力科创股份有限公司 | 发明人 | 福岛讲平;尾崎彻志 |
| 分类号 | C23C16/44(2006.01);C23C16/455(2006.01);C23C16/458(2006.01);C23C16/50(2006.01);C23C16/52(2006.01) | 主分类号 | C23C16/44(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | 周良谋;周良吉 | |
| 主权项 | 一种基板处理装置，于呈真空氛围之纵型之反应容器内，对「由基板固持具呈棚架状固持，直径在300mm以上之复数之半导体晶圆亦即基板」，供给处理气体，以进行处理，其特征在于包含： 电极，为对该处理气体供给电力以活化该处理气体，而沿该基板固持具之长度方向延伸设置； 构造物，在排列有该基板之高度区域，沿该基板固持具之长度方向延伸设置于该反应容器内；及 排气口，用来使该反应容器内真空排气；且 该构造物，配置于：俯视观察该反应容器时，自该反应容器之中心部观察，朝该电极中最接近该构造物之部位之左方向或右方向分别远离40度以上之区域。 | ||
| 地址 | 日本 | ||