半导体元件之洗涤用液体组成物及半导体元件之洗涤方法

摘要

明之目的为提供以抑制半导体积体电路之制造步骤使用之低介电率层间绝缘膜、钴或钴合金受损的方式去除硬遮罩、乾蚀刻残渣之半导体元件之洗涤用液体组成物及使用此组成物之半导体元件之洗涤方法。本发明之半导体元件之洗涤用液体组成物含有: 10~30质量%之过氧化氢、0.005~0.7质量%之氢氧化钾0.00001~0.01质量%之胺基聚亚甲基膦酸、0.001~5质量%之选自胺类及唑类中之至少1种、及水。藉由使该洗涤用液体组成物和半导体元件接触，可以洗涤半导体元件。

主权项

一种洗涤用液体组成物，系以抑制低介电率层间绝缘膜及钴或钴合金受损的方式将具备低介电率层间绝缘膜、硬遮罩及钴或钴合金而成的半导体元件中的硬遮罩与乾蚀刻残渣去除， 包含10~30质量%之过氧化氢、0.005~0.7质量%之氢氧化钾、0.00001~0.01质量%之胺基聚亚甲基膦酸、0.001~5质量%之选自于胺类及唑类中之至少1种成分，及水。