| 发明名称 |
半导体装置及其制造方法 |
| 摘要 |
露提供一种半导体装置，包括基底；控制闸极，设于基底上，其中控制闸极具有第一高度；记忆闸极，设于基底上且邻近控制闸极，其中记忆闸极具有低于第一高度的第二高度；闸极间介电层，设于控制闸极与记忆闸极之间；侧壁间隔物，设于控制闸极与记忆闸极之侧壁；及顶部间隔物，设于记忆闸极之部分顶部。本揭露亦提供此半导体装置之制造方法。
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| 申请公布号 |
TWI515906 |
申请公布日期 |
2016.01.01 |
| 申请号 |
TW102146532 |
申请日期 |
2013.12.17 |
| 申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
蔡濬泽;赖佳平 |
| 分类号 |
H01L29/78(2006.01);H01L21/28(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪澄文;颜锦顺 |
| 主权项 |
一种半导体装置，包括：一基底；一控制闸极，设于该基底上，其中该控制闸极具有一第一高度；一记忆闸极，设于该基底上且邻近该控制闸极，其中该记忆闸极具有一低于该第一高度的第二高度；一闸极间介电层，设于该控制闸极与该记忆闸极之间；一侧壁间隔物，设于该控制闸极与该记忆闸极之侧壁；及一顶部间隔物，设于该记忆闸极之部分顶部。
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| 地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
