| 发明名称 |
于高介电常数金属闸极堆叠中用以改善通道移动率的介面结构 |
| 摘要 |
明揭示一种用于场效电晶体(FET)装置的闸极堆叠结构，其包括：一富氮第一介电层，其形成于一半导体基板表面之上；一缺氮、富氧第二介电层，其形成于该富氮第一介电层上，该第一介电层及该第二介电层共同形成一双层介面层；一高介电常数介电层，其形成于该双层介面层之上；一金属闸极导体层，其形成于该高介电常数介电层之上；及一功函数调整掺杂物物种，其扩散于该高介电常数介电层及该缺氮、富氧第二介电层之内，及其中该富氮第一介电层用来隔开该功函数调整掺杂物物种与该半导体基板表面。 |
| 申请公布号 |
TWI515897 |
申请公布日期 |
2016.01.01 |
| 申请号 |
TW100119394 |
申请日期 |
2011.06.02 |
| 申请人 |
万国商业机器公司 |
发明人 |
陈自强;郭德超;欧迪吉斯 菲力浦Ｊ;王延锋 |
| 分类号 |
H01L29/78(2006.01);H01L21/28(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
李宗德 |
| 主权项 |
一种用于场效电晶体(FET)装置的闸极堆叠结构，包含：一富氮第一介电层，其形成于一半导体基板表面之上；一缺氮、富氧第二介电层，其形成于该富氮第一介电层上，该第一介电层及该第二介电层共同形成一双层介面层；一高介电常数介电层，其形成于该双层介面层之上，其中该富氮第一介电层和包含该双层介面层的该缺氮、富氧第二介电层两者皆具有介电常数小于该高介电常数介电层的介电常、数；一金属闸极导体层，其形成于该高介电常数介电层之上；及一功函数调整掺杂物物种，其扩散于该高介电常数介电层及该缺氮、富氧第二介电层之内，及其中该富氮第一介电层用来隔开该功函数调整掺杂物物种与该半导体基板表面。
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| 地址 |
美国 |
