| 发明名称 |
半导体发光装置之制造方法 |
| 摘要 |
明系含有作为构成构件之基板、元件及封装材料的半导体发光装置之制造方法，其系含有以下步骤，将元件设置于基板的第1步骤，将硬化前之封装材料以覆盖元件方式，封装(potting)于基板上的第2步骤，在硬化后之厚度t[mm]之封装材料所具有之380nm、316nm及260nm之各波长之吸光度，分别为AbsA(t)、AbsB(t)及AbsC(t)，380nm之光的透过率为T(t)时，使被封装的封装材料以满足下述式(1)、(2)及(3)全部的方式予以硬化的第3步骤，(1)T(1.7)≧90%
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| 申请公布号 |
TW201601352 |
申请公布日期 |
2016.01.01 |
| 申请号 |
TW104102547 |
申请日期 |
2015.01.26 |
| 申请人 |
住友化学股份有限公司 |
发明人 |
吉川岳;高岛正之 |
| 分类号 |
H01L33/52(2010.01);H01L33/56(2010.01) |
主分类号 |
H01L33/52(2010.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
| 主权项 |
一种半导体发光装置之制造方法，其系含有作为构成构件之基板、元件及封装材料的半导体发光装置之制造方法，其系含有以下步骤，将元件设置于基板的第1步骤，将硬化前之封装材料以覆盖元件方式，封装于基板上的第2步骤，在将硬化后之厚度t[mm]之封装材料所具有之380nm、316nm及260nm之各波长之吸光度，分别为AbsA(t)、AbsB(t)及AbsC(t)，380nm之光的透过率为T(t)时，使被封装的封装材料以满足下述式(1)、(2)及(3)全部的方式予以硬化的第3步骤，(1)T(1.7)≧90%(2)AbsB(t)-AbsA(t)<0.011t(3)AbsC(t)-AbsA(t)<0.125t。
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| 地址 |
日本 |
