铁磁性记忆模组及应用该模组之记忆晶片

摘要

明系提供一种记忆模组及应用该模组之记忆装置，其记忆模组包含：一金氧半场效电晶体，该金氧半场效电晶体设有一闸极、一源极区、一汲极区、一通道及一闸极绝缘层，该通道一端连接于源极区，且该通道另一端连接于汲极区，该闸极绝缘层将该闸极与源极区及汲极区隔开；一导磁薄膜层，该导磁薄膜层固设于该闸极上；一线圈组，该线圈组环设于金氧半场效电晶体外周围；藉由该导磁薄膜层固设于金氧半场效电晶体之闸极上，俾可达到体积小、线路简化、降低制程成本之目的。记忆储存以铁磁性薄膜为闸极之电晶体，其通道之载子移动率将随着磁性而改变，利用此特性，透过外加磁场的方式，将此薄膜加磁/消磁，作为储存1或0之记忆体。利用此创新记忆元件，发展新颖的非挥发性磁性读写记忆晶片。

主权项

一种记忆模组，其包含：一金氧半场效电晶体，该金氧半场效电晶体设有一闸极区、一源极区、一汲极区、一通道及一闸极绝缘层，该通道一端连接于源极区，且该通道另一端连接于汲极区，该闸极绝缘层将该闸极与源极区与汲极区隔开；一导磁薄膜层，该导磁薄膜层固设于该闸极上，且该导磁薄膜层上方设有至少一导磁性结构材料；一线圈组，该线圈组环设于该金氧半场效电晶体外周围；其中，该线圈组供电源之电流流通，以产生一外加磁场对导磁薄膜层进行磁化与消磁，予以改变该金氧半场效电晶体之临界电压值。