发明名称 气体喷淋装置、化学气相沉积装置和方法
摘要 气体喷淋装置、化学气相沉积装置和方法,气体喷淋装置包括:喷淋头,喷淋头包括中心区和包围中心区的周边区,喷淋头的中心区和周边区具有平行排列的若干第二喷淋口,第二喷淋口用于输出第二气体,相邻第二喷淋口之间具有第一喷淋口,第一喷淋口包括位于中心区的第一子喷淋口、以及位于周边区的第二子喷淋口,第一子喷淋口和第二子喷淋口相互隔离,第一子喷淋口用于输出第一气体,第二子喷淋口用于输出第二气体;与第一子喷淋口连接的第一气体通道;与第二喷淋口和第二子喷淋口连接的第二气体通道。采用气体喷淋装置的化学气相沉积装置的成膜品质改善。
申请公布号 TW201600179 申请公布日期 2016.01.01
申请号 TW103123866 申请日期 2014.07.10
申请人 中微半导体设备(上海)有限公司 发明人 姜勇;杜 志游
分类号 B05B7/02(2006.01);C23C16/455(2006.01) 主分类号 B05B7/02(2006.01)
代理机构 代理人 林志青
主权项 一种气体喷淋装置,中包括: 喷淋头,所述喷淋头底面喷气区域包括中心区和包围所述中心区的周边区,所述喷淋头的中心区和周边区具有平行排列的若干第二喷淋口,所述第二喷淋口用于输出第二气体,相邻第二喷淋口之间具有第一喷淋口,所述第一喷淋口和第二喷淋口相互交替分布,所述第一喷淋口包括位于中心区的第一子喷淋口、以及位于周边区的第二子喷淋口,所述第一子喷淋口和第二子喷淋口相互隔离,所述第一子喷淋口用于输出第一气体,所述第二子喷淋口用于输出第二气体,所述第一气体和第二气体之间能够发生成膜反应; 与第一子喷淋口连接的第一气体通道,所述第一气体自所述第一气体通道通过,并从第一子喷淋口输出; 与第二喷淋口和第二子喷淋口连接的第二气体通道,所述第二气体通道与第一气体通道相互隔离,所述第二气体自所述第二气体通道通过,并从第二喷淋口和第二子喷淋口输出。
地址 中国