发明名称 |
雷射加工方法 |
摘要 |
反复地进行使雷射光(L1~L3)同时聚光于沿着切断预定线(5)相互分离的聚光位置(P1~P2)之聚光制程,一边使雷射光(L1~L3)沿着切断预定线(5)相对移动。藉此,沿着切断预定线(5)形成复数个改质点(S),藉由这些复数个改质点(S)来形成改质区域(7)。在此,反复进行的聚光制程之聚光位置(P1~P3)系未相互地重叠,又,后段的聚光制程之聚光位置(P21~P23)中的至少一个系位于前段的聚光制程之聚光位置(P11~P13)间。 |
申请公布号 |
TWI515068 |
申请公布日期 |
2016.01.01 |
申请号 |
TW099140924 |
申请日期 |
2010.11.25 |
申请人 |
滨松赫德尼古斯股份有限公司 |
发明人 |
中野诚;井上卓;神山信治 |
分类号 |
B23K26/06(2014.01);B23K26/36(2014.01) |
主分类号 |
B23K26/06(2014.01) |
代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
主权项 |
一种雷射加工方法,系使复数个雷射光聚光于加工对象物,来在前述加工对象物上,沿着切断预定线形成改质区域之雷射加工方法,其特征为:包含有:使前述复数个雷射光同时地聚光于沿着切断预定线相互分离的复数个聚光位置之聚光制程;及藉由一边反复进行前述聚光制程一边使前述复数个雷射光沿着前述切断预定线相对移动,来沿着前述切断预定线形成复数个改质点,再藉由这些复数个改质点来形成前述改质区域之形成制程,反复进行的前述聚光制程之复数个聚光位置系未相互地重叠,且,后段的前述聚光制程之前述复数个聚光位置中的至少一个系位于前段的前述聚光制程之前述复数个聚光位置间。
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地址 |
日本 |