| 发明名称 |
电子元件制备用金属基板及面板 |
| 摘要 |
子元件制备用金属基板具备：Al+Si的合计含量为0.5~18.0质量%之钢材；厚度0.2μm~2.0μm之第一绝缘性皮膜；及厚度0.3μm~5.0μm之第二绝缘性皮膜；又，前述第一绝缘性皮膜与前述第二绝缘性皮膜之合计厚度为2.0μm~7.0μm；前述第一绝缘性皮膜系含有Al2O3及SiO2之至少一者的热氧化皮膜；且前述第二绝缘性皮膜系由氧化矽系无机有机混成材料形成。
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| 申请公布号 |
TW201600639 |
申请公布日期 |
2016.01.01 |
| 申请号 |
TW103122524 |
申请日期 |
2014.06.30 |
| 申请人 |
新日铁住金高新材料股份有限公司;新日铁住金股份有限公司 |
发明人 |
山田纪子;山口左和子 |
| 分类号 |
C23C28/04(2006.01);H01L31/042(2014.01);C22C38/34(2006.01);C22C38/18(2006.01);C22C38/06(2006.01) |
主分类号 |
C23C28/04(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
恽轶群;陈文郎 |
| 主权项 |
一种电子元件制备用金属基板，其特征在于具备：钢材，其Al含量为0~13.0质量%，Si含量为0~5.0质量%，且前述Al及前述Si之合计含量为0.5~18.0质量%；第一绝缘性皮膜，系被覆前述钢材之表面且厚度为0.2μm~2.0μm；及第二绝缘性皮膜，系被覆前述第一绝缘性皮膜之表面且厚度为0.3μm~5.0μm；又，前述第一绝缘性皮膜与前述第二绝缘性皮膜之合计厚度为2.0μm~7.0μm；前述第一绝缘性皮膜系含有Al2O3及SiO2之至少一者的热氧化皮膜；且前述第二绝缘性皮膜系由氧化矽系无机有机混成材料形成。
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| 地址 |
日本;日本 |
