半导体结构

摘要

揭露一种半导体结构。此一半导体结构包括一基板、形成于基板中的一第一井、形成于第一井中的一第一重掺杂区、形成于基板中并与第一井分离的一第二重掺杂区、形成于基板中第二重掺杂区下的一第二井、形成于基板上介于第一重掺杂区及第二重掺杂区之间的一闸介电质、以及形成于闸介电质上的一闸电极。闸介电质至少在横跨延伸自接近第二重掺杂区之一侧的一部分具有实质上均一的厚度。第一井具有第一掺杂类型。第一重掺杂区、第二重掺杂区及第二井具有第二掺杂类型。

主权项

【第1项】一种半导体结构，包括：一基板；一第一井，形成于该基板中，该第一井具有一第一掺杂类型；一第一重掺杂区，形成于该第一井中，该第一重掺杂区具有一第二掺杂类型；一第二重掺杂区，形成于该基板中并与该第一井分离，该第二重掺杂区具有该第二掺杂类型；一第二井，形成于该基板中该第二重掺杂区下，该第二井具有该第二掺杂类型；一闸介电质，形成于该基板上介于该第一重掺杂区及该第二重掺杂区之间，并至少局部地形成于该第一井上，该闸介电质至少在横跨延伸自接近该第二重掺杂区之一侧的一部分具有一实质上均一的厚度；以及一闸电极，形成于该闸介电质上。