高－介电系数金属闸极装置

摘要

明揭露形成半导体装置的方法。该方法包含提供基板。该方法另包含在基板上形成具有闸电极的闸极堆叠，包含形成金属闸电极层。在该金属闸电极层的顶部上，形成缓冲闸电极层，以及在该金属闸电极层上方，形成具有多矽合金的顶部闸电极层。

主权项

一种形成半导体装置的方法，包括：提供基板；以及在该基板上，形成具有在具有二个以上不同介电层之复合闸极介电层上的闸电极的闸极堆叠，包括：形成在该复合闸极介电层上的金属闸电极层，在该金属闸电极层的顶部，形成缓冲闸电极层，以及在该缓冲闸电极层上方，形成具有多矽合金的顶部闸电极层，该顶部闸电极层系该闸极堆叠的最上面的闸电极层。