记忆体装置

摘要

记忆体装置包含：第一闸电极，形成于第一主动区至第四主动区上以与第一主动区至第四主动区相交并且沿第一方向延伸；第二闸电极，形成于第一主动区至第四主动区上以与第一主动区至第四主动区相交、沿第二方向延伸并且经配置以使得在第二方向上在第一闸电极与第二闸电极之间不存在其他闸电极；第一闸电极在第一端与第二端之间延伸；第一布线线路，形成于第一闸电极上；第一绑带接点，在第一主动区与第二主动区之间连接第一布线线路以及第一闸电极；以及第二绑带接点，在第三主动区与第四主动区之间连接第一布线线路以及第一闸电极。

主权项

一种非挥发性记忆体装置，包括：反熔丝记忆体单元阵列；所述反熔丝记忆体单元阵列的多个电晶体，所述电晶体以多个列配置，每一列在第一方向上延伸并且包含一组电晶体；第一闸电极，沿所述多个列中的第一列延伸且连接至所述第一列中的第一组电晶体；第一布线线路，在所述第一闸电极上方且在垂直方向上与所述第一闸电极分隔开，所述第一布线线路在所述第一方向上延伸；以及多个带状接点，沿所述第一方向及第一列配置，每一所述带状接点在所述第一闸电极与所述第一布线线路之间延伸，且沿所述第一列配置的每一所述带状接点称作第1带状接点，其中多个所述第1带状接点的第一第1带状接点经配置以处于多个所述第1带状接点的第二第1带状接点的第一侧，且所述第一第1带状接点及所述第二第1带状接点经配置以在其间具有两个或少于两个所述电晶体，且其中所述多个带状接点的第三第1带状接点经配置以处于所述第二第1带状接点的与所述第一侧相反的第二侧，且所述第三第1带状接点及所述第二第1带状接点经配置以在其间具有两个或少于两个所述电晶体。