光罩基底、转印用光罩之制造方法及半导体装置之制造方法

摘要

明系一种于透光性基板上依序积层有光半透过膜、遮光膜、及硬质光罩膜之光罩基底。光半透过膜含有矽，硬质光罩膜含有矽及钽中之任一者或两者。遮光膜呈底层及上层之积层构造且含有铬。上层之铬之含量为65原子%以上，且氧之含量未达20原子%，底层之铬之含量未达60原子%，且氧之含量为20原子%以上。

主权项

一种光罩基底，其特征在于，其系具有于透光性基板上依序积层有光半透过膜、遮光膜、及硬质光罩膜之构造者，且上述光半透过膜至少含有矽，上述硬质光罩膜系与上述遮光膜上之表面相接而形成，至少含有矽及钽中之任一者或两者，上述遮光膜呈底层及上层之积层构造，且至少含有铬，上述上层之上述铬之含量为65原子%以上，且氧之含量未达20原子%，上述底层之上述铬之含量未达60原子%，且氧之含量为20原子%以上。