气相成长装置及成膜方法

摘要

明之气相成长装置(1)具备成膜室(4)、第1供给部(2)、第2供给部(3)、搬送器件(5)、及第1排气器件(6)。于成膜室(4)之内部至少配置1片基板(S)，于基板(S)上形成III-V族化合物半导体膜。搬送器件(5)具备绕旋转轴(L)旋转之基座(51)。而且，气相成长装置(1)进而具备独立于第1排气器件(6)且对成膜室(4)内进行排气之第2排气器件(7)。第2排气器件(7)将于搬送器件(5)之旋转轴(L)上且基座(51)之上表面附近产生之滞留气体排出。

主权项

一种气相成长装置，其包括：成膜室，其于内部至少配置1片基板，于上述基板上形成III-V族化合物半导体膜；第1供给部，其向上述成膜室内，导入包含卤族元素及III族元素之第1原料气体、及与上述第1原料气体发生反应而于上述基板上形成膜之第2原料气体；第2供给部，其向上述成膜室内，导入包含有机金属之第3原料气体、及与上述第3原料气体发生反应而于上述基板上形成膜之第4原料气体；搬送器件，其于上述成膜室内搬送上述基板；及第1排气器件，其将上述成膜室内之气体排出而进行真空化；上述第1供给部包括：第1供给口，其朝向上述基板供给上述第1原料气体；及第2供给口，其朝向上述基板供给上述第2原料气体；且将上述第1原料气体及上述第2原料气体不相互混合地分别导向上述第1供给口及上述第2供给口；上述第2供给部包括：第3供给口，其朝向上述基板供给上述第3原料气体；及第4供给口，其朝向上述基板供给上述第4原料气体；且将上述第3原料气体及上述第4原料气体不相互混合地分别导向上述第3供给口及上述第4供给口；上述搬送器件具备绕旋转轴旋转之基座，上述第1供给口、上述第2供给口、上述第3供给口及上述第4供给口设置于上述基座之上表面附近，且与该上表面对向，
上述搬送器件使配置于上述基座上之上述基板，在与上述第1供给口及上述第2供给口对向之第1配置、与上述第3供给口及上述第4供给口对向之第2配置、以及不与上述第1供给口、上述第2供给口、上述第3供给口、及上述第4供给口中之任一者对向之第3配置之间搬送，该气相成长装置进而具备独立于上述第1排气器件且对上述成膜室内进行排气之第2排气器件，上述第2排气器件将于上述搬送器件之上述旋转轴上且上述基座之上表面附近产生之滞留气体排出。