控制III族氮化物装置中凹处形成

摘要

明系关于一种包含一半导体结构之装置，该半导体结构包括：被设置在一n型区域与一p型区域之间的一III族氮化物发光层，及被设置在该n型区域与该p型区域之一者内的复数个层对。各个层对包含一InGaN层及与该InGaN层直接接触之凹处-填充层。该凹处-填充层可填充形成在该InGaN层中的凹处。

主权项

一种发光装置，其包括：一半导体结构，其包括：一III族氮化物发光层，其被设置在一n型区域与一p型区域之间，其中该n型区域包括一InGaN接触层；及复数个层对(layer pairs)，其等被设置在该n型区域及该p型区域之一者内，各个层对包括：一InGaN层；及一凹处-填充层(pit-fillig layer)与该InGaN层直接接触，其中该凹处填充层系GaN、AlGaN、AlInGaN、及AlInN中之一者；及一金属接触件，其被设置在该InGaN接触层的一部分上。