利用深扩散区在单片功率积体电路中制备JFET和LDMOS电晶体

摘要

明系揭露一种功率积体电路，其包括接面场效电晶体（JFET）组件，形成在第一部分半导体层中，利用第一本体区制成闸极区，横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）电晶体，形成在第二部分半导体层中，通道形成在第二本体区中。功率积体电路包括第一深扩散区，形成在第一本体区下方，并且与第一本体区电接触，第一深扩散区与第一本体区共同建立JFET组件的夹断电压；以及第二深扩散区，形成在第二本体区下方，并且与第二本体区电接触，第二深扩散区构成LDMOS电晶体中的降低表面电场（RESURF）结构。

主权项

一种功率积体电路，其包括： 一第一导电类型轻掺杂的一半导体层； 一接面场效电晶体组件，形成在第一部分该半导体层中以及一第二导电类型的一第一深井中，该接面场效电晶体组件包括利用该第一导电类型的一第一本体区制成的一闸极区、形成在该闸极区对面的该第二导电类型的一源极区和一汲极区、形成在该闸极区以外的该源极区和该汲极区之间的该第一深井区域中的该接面场效电晶体组件的通道； 一横向扩散金属氧化物半导体电晶体，形成在第二部分该半导体层中和该第二导电类型的一第二深井中，该横向扩散金属氧化物半导体电晶体包括形成在该第二深井中的该第一导电类型的一第二本体区、一闸极电极、一源极区、以及与一汲极区电接触的一漂流区，该横向扩散金属氧化物半导体电晶体的通道形成在该源极区和该漂流区之间的该第二本体区中，其中第二本体区用于最佳化该横向扩散金属氧化物半导体电晶体的一门槛值电压和一击穿电压，该第一本体区和该第二本体区具有相同的掺杂浓度和深度； 一第一深扩散区，形成在该第一本体区下方的该第一深井中，并且与该第一本体区电接触，该第一深扩散区与该第一本体区共同建立该接面场效电晶体组件的一夹断电压；以及 一第二深扩散区，形成在该第二本体区下方的该第二深井中，并且与该第二本体区电接触，该第二深扩散区构成该横向扩散金属氧化物半导体电晶体中的降低表面电场结构。