发明名称 图案测量方法及图案测量装置
摘要 明之目的是提供一种图案测量方法及图案测量装置,可高精度地实现图案的深度方向的测量。 在本发明中提案图案测量方法及实现各测量的装置,该方法具有以下步骤:藉由聚焦离子束的照射,在包含具有深孔、深沟、或是立体构造的电路元件的试料领域形成倾斜面;使包含倾斜面及试料表面之间的交界的方式,设定扫描电子显微镜的视野,依据由朝该视野的电子束的扫描所获得的检出讯号,将前述视野的画像取得;使用该被取得的画像,界定:成为倾斜面及非倾斜面的交界的第1位置、及位于倾斜面内的所期的深孔或是深沟的位置也就是第2位置;依据该第1位置及第2位置之间的前述试料表面方向的尺寸、及前述斜面的角度,求得构成具有前述深孔、深沟、或是立体构造的电路元件的图案的高度方向的尺寸。
申请公布号 TW201600828 申请公布日期 2016.01.01
申请号 TW104120729 申请日期 2015.06.26
申请人 日立全球先端科技股份有限公司 发明人 川田洋挥;栄井英雄;笹田胜弘
分类号 G01B15/00(2006.01);H01J37/28(2006.01) 主分类号 G01B15/00(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项 一种图案测量方法,是依据由扫描电子显微镜所获得的检出讯号,实行构成具有形成于试料的深孔、深沟、或是立体构造的电路元件的图案的测量,其特征为,具有:藉由聚焦离子束的照射,在包含具有前述深孔、深沟、或是立体构造的电路元件的试料领域形成倾斜面的步骤;及使包含前述倾斜面及前述试料表面之间的交界的方式,设定前述扫描电子显微镜的视野,依据由朝该视野的电子束的扫描所获得的检出讯号,将前述视野的画像取得的步骤;及使用该被取得的画像,将成为前述倾斜面及非倾斜面的交界的第1位置界定的步骤;及界定:位于前述倾斜面内的所期的深孔或是深沟的位置、前述深孔或是深沟的底、或是与具有前述立体构造的图案交叉的层的表面的位置也就是第2位置的步骤;及依据前述第1位置及前述第2位置之间的前述试料表面方向的尺寸、及前述斜面的角度,求得构成具有前述深孔、深沟、或是立体构造的电路元件的图案的高度方向的尺寸的步骤。
地址 日本