发明名称 |
非晶矽膜形成装置之清洗方法、非晶矽膜之形成方法、及非晶矽膜形成装置 |
摘要 |
明系一种非晶矽膜形成装置之清洗方法,其系对非晶矽膜形成装置的反应室内供给处理气体,-而在被处理体上形成非晶矽膜之后,去除附着于装置内部之附着物的该非晶矽膜形成装置之清洗方法,包含:去除步骤,对该反应室内供给清洁气体,以去除附着于该装置内部的附着物;并且至少实施下述驱净步骤中的一个步骤:第1驱净步骤,对藉由该去除步骤去除附着物的该反应室内供给氨以进行驱净;第2驱净步骤,对藉由该去除步骤去除附着物的该反应室内供给含氢与氧的气体以进行驱净。 |
申请公布号 |
TW201600622 |
申请公布日期 |
2016.01.01 |
申请号 |
TW104109126 |
申请日期 |
2015.03.23 |
申请人 |
东京威力科创股份有限公司 |
发明人 |
冈田充弘 |
分类号 |
C23C16/24(2006.01);C23C16/44(2006.01);C23C16/455(2006.01);C23C16/52(2006.01) |
主分类号 |
C23C16/24(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
周良谋;周良吉 |
主权项 |
一种非晶矽膜形成装置之清洗方法,其系对非晶矽膜形成装置的反应室内供给处理气体而在被处理体上形成非晶矽膜之后,去除附着于该装置内部之附着物,其特征为包含: 去除步骤,对该反应室内供给清洁气体,以去除附着于该装置之内部的附着物; 并且实施下述二个驱净步骤中的至少一个步骤: 第1驱净步骤,对藉由该去除步骤去除附着物的该反应室内供给氨以进行驱净; 第2驱净步骤,对藉由该去除步骤去除附着物的该反应室内供给含氢与氧的气体以进行驱净。 |
地址 |
日本 |