基板处理装置及半导体装置之制造方法

摘要

明的课题系提供一种基板处理装置及半导体装置之制造方法，其系以快速成膜速度形成致密且归因原料之杂质浓度低、电阻率低的导电性膜。
本发明之解决手段系一种基板处理装置，其具有：积层并收容复数片基板之处理室；供给第1处理气体于该处理室之第1处理气体供给系统；供给第2处理气体于该处理室之第2处理气体供给系统；及控制该第1处理气体供给系统及该第2处理气体供给系统之控制部，该基板处理装置系构成为：该第1处理气体供给系统及该第2处理气体供给系统之至少任一供给系统，具有沿着该基板之积层方向立设之形状相异之2支喷嘴，该控制部，系在以成膜速度不同的脉冲供给该第1处理气体及该第2处理气体于该处理室而形成膜于该基板时，从该形状相异之2支喷嘴各自供给该第1处理气体及该第2处理气体之至少任一气体。

主权项

一种基板处理装置，其具有：处理室，系积层并收容复数片基板；第1处理气体供给系统，系供给第1处理气体于该处理室；第2处理气体供给系统，系供给第2处理气体于该处理室；及控制部，系控制该第1处理气体供给系统及该第2处理气体供给系统，该基板处理装置系构成为：该第1处理气体供给系统及该第2处理气体供给系统之至少任一供给系统，具有沿着该基板之积层方向立设之形状相异的2支喷嘴，该控制部，系在以成膜速度不同的脉冲供给该第1处理气体及该第2处理气体于该处理室而形成膜于该基板时，从形状相异的2支喷嘴各自供给该第1处理气体及该第2处理气体之至少任一气体。