发明名称 |
EUV光罩的相位缺陷评价方法、EUV光罩的制造方法、EUV空白光罩及EUV光罩 |
摘要 |
明系提供关于EUV光罩,考量到相位缺陷在多层反射膜中的传播状态之高精度估算相位缺陷周围的吸收层图案的最佳修补量之技术。
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申请公布号 |
TW201600920 |
申请公布日期 |
2016.01.01 |
申请号 |
TW104109297 |
申请日期 |
2015.03.24 |
申请人 |
凸版印刷股份有限公司 |
发明人 |
波木井秀充;高桥聪 |
分类号 |
G03F1/24(2012.01);G03F1/84(2012.01);G03F7/20(2006.01) |
主分类号 |
G03F1/24(2012.01) |
代理机构 |
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代理人 |
丁国隆;黄政诚 |
主权项 |
一种EUV光罩的相位缺陷评价方法,系基板上形成有多层反射膜的EUV光罩的相位缺陷评价方法,系含有下述步骤:在前述基板上形成缺陷检查用的基准标记之步骤;进行前述基板上的缺陷检查,量测前述基板上的缺陷即基板上缺陷的至少位置座标之步骤;在前述基板上形成多层反射膜之步骤;进行前述多层反射膜上的缺陷检查,量测前述多层反射膜上的缺陷即反射膜上缺陷的至少位置座标之步骤;参照备有前述多层反射膜内部缺陷模型的缺陷模型库之步骤;及根据前述基板上缺陷的位置座标、前述反射膜上缺陷的位置座标及前述多层反射膜内部的缺陷模型,建立相位缺陷在前述多层反射膜内部的传播状态推定模型之步骤。
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地址 |
日本 |