三维堆叠多晶片结构及其制造方法

摘要

三维堆叠多晶片结构，包括M个晶片、一第一导电柱与N个第二导电柱。每一晶片具有一共用连接区与一晶片启动区。晶片包括一基板及一图案化电路层。图案化电路设置于基板上，图案化电路层包括一主动元件、至少一共用导电结构与N个晶片启动导电结构。共用导电结构位于共用连接区，N个晶片启动导电结构位于晶片启动区。第一导电柱连接M个晶片的共用导电结构。每一第二导电柱连接M个晶片之N个晶片启动导电结构的其中之一。M个晶片的晶片启动区具有不同的导通状态，N大于1、M大于2，且M小于或等于2的N次方。

主权项

【第1项】一种三维堆叠多晶片结构，包括：M个晶片，每一晶片具有一共用连接区与一晶片启动区，且包括：一基板；及一图案化电路层，设置于该基板上，该图案化电路层包括一主动元件、至少一共用导电结构与N个晶片启动导电结构，该共用导电结构位于该共用连接区，该N个晶片启动导电结构位于该晶片启动区；一第一导电柱，连接该M个晶片的共用导电结构；以及N个第二导电柱，每一第二导电柱连接该M个晶片之该N个晶片启动导电结构的其中之一；其中该M个晶片的晶片启动区具有不同的导通状态，N大于1、M大于2，且M小于或等于2的N次方。