半导体装置及其制法

摘要

明提供当形成接触孔时容易进行蚀刻控制的半导体装置的制造技术。本发明的半导体装置至少包括：形成在绝缘表面上的半导体层；形成在半导体层上的第一绝缘层；形成在第一绝缘层上的闸极电极；形成在闸极电极上的第二绝缘层；以及形成在第二绝缘层上的导电层，其中，该第二绝缘层经由一开口部连接至该半导体层，该开口部至少在半导体层及第二绝缘层中形成且露出绝缘表面的一部分。这里的导电层在形成于半导体层中的开口的侧面处与半导体层电连接。

主权项

一种半导体装置，包含：在基板上且包含矽和氧的第一绝缘层；在该第一绝缘层上且包含矽的半导体层，该半导体层具有第一开口；在该半导体层上的第二绝缘层，该第二绝缘层具有第二开口；在该第二绝缘层上的闸极电极，该闸极电极与该半导体层重叠；在该闸极电极上的第三绝缘层；以及在该第三绝缘层上的导电层，该导电层具有与该第一开口和该第二开口重叠的区域，其中该第一开口完全由该导电层所填充，其中该导电层经由该第一开口和该第二开口连接至该半导体层的侧面和该半导体层的顶面，且其中该导电层与该第一绝缘层接触。