半导体装置及非平面电路装置之制造方法

摘要

明提供了具有经不同应变之NMOS鳍型场效电晶体与PMOS鳍型场效电晶体之一种半导体装置。于一示范实施例中，半导体装置包括具有第一鳍结构与第二鳍结构形成于其上之一基板。第一鳍结构包括了设置于基板之表面上之相对的数个源极/汲极区；设置于相对之源极/汲极区之间且设置于基板之表面上之一通道区；以及设置于通道区与基板之间之一第一埋设层。此第一埋设层包括一化合物半导体氧化物。第二鳍结构包括设置于基板与第二鳍结构之一通道区之间之一第二埋设层，因此第二埋设层与第一埋设层之组成并不相同。例如，第二埋设层并不包括上述化合物半导体氧化物。

主权项

一种半导体装置，包括：一基板；以及一鳍结构，形成于该基板上，其中该鳍结构包括：设置于该基板之一表面之上之相对之数个源极/汲极区；一通道区，设置于该相对之该些源极/汲极区之间且设置于该基板之该表面上；以及一埋设层，设置于该通道区与该基板之间，其中该埋设层包括一化合物半导体氧化物。