| 发明名称 | 半导体元件及其制作方法 | ||
| 摘要 | 明是揭露一种制作半导体元件的方法。首先提供一基底，然后形成一闸极结构于基底上、沉积一衬垫层于闸极结构与该基底上以及利用一包含氟甲烷(CH3F)、氧气(O2)及氦气(He)之气体进行蚀刻制程，以于闸极结构旁形成一侧壁子。 | ||
| 申请公布号 | TW201601202 | 申请公布日期 | 2016.01.01 |
| 申请号 | TW103121078 | 申请日期 | 2014.06.18 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 许家福;邱春茂;徐世杰;柯建村;陈俊隆;郭龙恩 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L29/78(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | 吴丰任;戴俊彦 | |
| 主权项 | 一种制作半导体元件的方法，包含：提供一基底；形成一闸极结构于该基底上；沉积一衬垫层于该闸极结构与该基底上；以及利用一包含氟甲烷(CH3F)、氧气(O2)及氦气(He)之气体进行蚀刻制程，以于该闸极结构旁形成一侧壁子。 | ||
| 地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 | ||