| 发明名称 |
半导体装置及半导体装置的制造方法 |
| 摘要 |
半导体装置，包含：形成在基板上之第一半导体层；形成在第一半导体层上之第二半导体层；包含形成在第二半导体层上之第一绝缘膜和依序堆叠在第一绝缘膜上之第二绝缘膜、第三绝缘膜之绝缘膜；以及形成在绝缘膜上之电极，其中，在第一绝缘膜中，在设有电极之区域下方形成含有卤素离子之区域，且第三绝缘膜含有卤素。
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| 申请公布号 |
TWI515894 |
申请公布日期 |
2016.01.01 |
| 申请号 |
TW102109433 |
申请日期 |
2013.03.18 |
| 申请人 |
富士通股份有限公司 |
发明人 |
金村雅仁 |
| 分类号 |
H01L29/778(2006.01);H01L21/28(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/778(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪武雄;陈昭诚 |
| 主权项 |
一种半导体装置，包括：形成在基板上之第一半导体层；形成在该第一半导体层上之第二半导体层；形成在该第二半导体层上之绝缘层，该绝缘层包含第一绝缘膜、形成在该第一绝缘膜上之第二绝缘膜、与形成在该第二绝缘膜上之第三绝缘膜；以及形成在该绝缘层上之电极，其中，在该第一绝缘膜中，在设有电极之区域下方形成含有卤素离子之区域，该第三绝缘膜含有卤素，而且该第二绝缘膜系不含卤素。
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| 地址 |
日本 |
