| 发明名称 |
ＩＴＯ溅镀靶 |
| 摘要 |
明系一种将复数之ITO分割靶排列于底板上且与该底板接合而构成之ITO溅镀靶，其中，仅于所排列之ITO分割靶之间的间隙侧之侧面具有选自铟、铟合金或锡合金之中之一种物质的被覆层。本发明之课题在于，提供如下之溅镀靶：即使在对分割ITO靶进行连续溅镀时，亦能够抑制结球之产生或异常放电，并且获得在与间隙部分相向之基板上所形成之膜的特性与其他部分之膜的特性无差别、即膜特性之均匀性较高之膜的ITO溅镀靶，特别是FPD用溅镀靶。 |
| 申请公布号 |
TWI515315 |
申请公布日期 |
2016.01.01 |
| 申请号 |
TW100121187 |
申请日期 |
2011.06.17 |
| 申请人 |
ＪＸ日鑛日石金属股份有限公司 |
发明人 |
挂野崇;铃木了;栗原敏也;中村佑一郎;関和广;牧野修仁;熊原吉一 |
| 分类号 |
C23C14/08(2006.01);C23C14/34(2006.01) |
主分类号 |
C23C14/08(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
阎启泰;林景郁 |
| 主权项 |
一种ITO溅镀靶，系将复数之ITO分割靶排列于底板上且与该底板接合而构成：其仅于所排列之ITO分割靶之间的间隙侧之侧面具有选自铟、铟合金或锡合金之中之一种物质的被覆层，且被覆层之厚度为0.04~0.35mm，自间隙之大小减去被覆层之厚度后所得的间隙之大小为0.1~0.72mm。
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| 地址 |
日本 |
