发明名称 |
含有此热交联促进剂之含聚矽氧烷之光阻下层膜形成用组成物、及使用此组成物之图案形成方法 |
摘要 |
明提供可改善与上层光阻之蚀刻选择性、即使面临更微细的图案仍比使用知之含矽光阻下层膜的情况更能改善蚀刻后之图案形状的热交联促进剂。
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申请公布号 |
TWI515196 |
申请公布日期 |
2016.01.01 |
申请号 |
TW103102143 |
申请日期 |
2014.01.21 |
申请人 |
信越化学工业股份有限公司 |
发明人 |
荻原勤;美谷岛佑介;浦野宏之 |
分类号 |
C07F5/02(2006.01);C08L83/04(2006.01);C08K5/55(2006.01);G03F7/11(2006.01);H01L21/312(2006.01);H01L21/027(2006.01) |
主分类号 |
C07F5/02(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
周良谋;周良吉 |
主权项 |
一种含聚矽氧烷之光阻下层膜形成用组成物,含有下列通式(A-1)表示之热交联促进剂及聚矽氧烷;
(R11、R12、R13、R14各表示氢原子、卤素原子、碳数1~20之直链状、分支状或环状之烷基、烯基、侧氧烷基或侧氧烯基、碳数6~20之经取代或未经取代之芳基、或碳数7~20之芳烷基或芳基侧氧烷基,该等基之氢原子之一部分或全部可被取代为烷氧基、胺基、烷基胺基、卤素原子、三甲基矽基;a、b、c、d为0~5之整数;又,a、b、c、d为2以上时,R11、R12、R13、R14也可形成环状结构;L为锂、钠、钾、铷、铯或下列通式(A-2)、(A-3)、(A-4)或(A-5)表示之相对离子);
(式中,R21、R22、R23、R24各表示碳数1~20之直链状、分支状或环状之烷基、烯基、侧氧烷基或侧氧烯基、碳数6~20之经取代或未经取代之芳基、或碳数7~12之芳烷基或芳基侧氧烷基,该等基之氢原子之一部分或全部也可被取代为卤素原子、烷基、烷氧基、三甲基矽基;又,R21与R22、R21与R22与R23也可形成环,当形成环时,R21与R22及R21与R22与R23表示碳数3~10之伸烷基;R31、R32、R33系同R21、R22、R23、R24,或亦可为氢原子;R32与R33也可形成环,当形成环时,R32、R33各表示碳数1~6之伸烷基)。
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地址 |
日本 |