氧化物烧结体及溅镀靶、与该氧化物烧结体之制造方法

摘要

明系提供一种于接合步骤中可抑制破裂的产生之氧化物烧结体、及使用该氧化物烧结体之溅镀靶、与该氧化物烧结体之制造方法。本发明之氧化物烧结体，其系将氧化铟、氧化镓、及氧化锡予以烧结所得之氧化物烧结体，氧化物烧结体的相对密度为90%以上，氧化物烧结体的平均结晶粒径为10μm以下，令氧化物烧结体中所包含之铟、镓、锡的含量相对于全部金属元素之比率(原子%)分别为〔In〕、〔Ga〕、〔Sn〕时，满足30原子%≦〔In〕≦50原子%、20原子%≦〔Ga〕≦30原子%、25原子%≦〔Sn〕≦45原子%，并且InGaO3相满足〔InGaO3〕≧0.05。

主权项

一种氧化物烧结体，其系将氧化铟、氧化镓及氧化锡予以烧结所得之氧化物烧结体，其特征为：前述氧化物烧结体的相对密度为90%以上，前述氧化物烧结体的平均结晶粒径为10μm以下，令前述氧化物烧结体中所包含之铟、镓、锡的含量相对于扣除氧之全部金属元素之比率(原子%)分别为〔In〕、〔Ga〕、〔Sn〕时，满足下述式(1)~(3)，并且对前述氧化物烧结体进行X射线绕射时，InGaO3相满足下述式(4)，30原子%≦〔In〕≦50原子%(1) 20原子%≦〔Ga〕≦30原子%(2) 25原子%≦〔Sn〕≦45原子%(3) 〔InGaO3〕≧0.05(4)惟，〔InGaO3〕=(I(InGaO3)/(I(InGaO3)+I(In2O3)+I(SnO2))式中，I(InGaO3)、I(In2O3)、及I(SnO2)分别为以X射线绕射所特定之InGaO3相、In2O3相、SnO2相之绕射强度的测定值。