| 发明名称 |
贯穿矽介层及其制造方法 |
| 摘要 |
贯穿矽介层结构及制造贯穿矽介层的方法。该方法包括：(a)形成一沟渠于一矽基板中，该沟渠开启至基板之一顶面；(b)形成一二氧化矽层于沟渠的侧壁上，且二氧化矽层未填充沟渠；(c)用多晶矽填充沟渠中的其余空间；(d)在(c)之后，制造CMOS装置的至少一部分于基板中；(e)自沟渠移除多晶矽，介电层继续保留在沟渠的侧壁上；(f)用一导电核心再填充沟渠；及(g)在(f)之后，形成一或多个配线层于基板的顶面之上，一或多个配线层级之一配线层级的一线路接近于接触导电核心之一顶面的基板。
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| 申请公布号 |
TWI515826 |
申请公布日期 |
2016.01.01 |
| 申请号 |
TW098125343 |
申请日期 |
2009.07.28 |
| 申请人 |
乌翠泰克股份有限公司 |
发明人 |
安卓 保罗 史蒂芬;史普洛吉斯 艾慕德 乔瑞斯;曾 柯尼利亚 康依 |
| 分类号 |
H01L21/768(2006.01);H01L23/52(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
恽轶群;陈文郎 |
| 主权项 |
一种制造贯穿矽介层的方法，包含：(a)形成一沟渠于一矽基板中，该沟渠开启至该基板之一顶面；(b)形成一二氧化矽层于该沟渠的侧壁上，该二氧化矽层未填充该沟渠；(c)形成一硬遮罩层于该基板之顶面及该二氧化矽层之暴露表面上；(d)用多晶矽填充该沟渠中的其余空间；(e)移除该沟渠中的上端区域之多晶矽并且形成一介电帽盖于该沟渠中的其余多晶矽上方；在(e)之后，(f)制造一互补金属氧化矽(CMOS)装置之至少一部份于该基板中；(g)自该沟渠完全移除该多晶矽，该二氧化矽层继续留在该沟渠的该侧壁上；(h)用一导电核心再填充该沟渠，该导电核心延伸至该基板之顶面上方；及在(h)之后，(i)形成自一第一配线层级至一最后配线层级的一堆叠之两个或多个镶嵌线路层于该基板的该顶面上，该第一配线层级之一线路接触该导电核心之一顶面。
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| 地址 |
美国 |
