发明名称 含矽光阻下层膜形成用组成物之制造方法
摘要 明提供:减少用于浸润曝光、双重图案化、有机溶剂显影等的光阻组成物之涂布缺陷,尤其减少含矽光阻下层膜之涂布缺陷的光阻组成物制造方法。一种光阻组成物之制造方法,其系藉由将半导体装置之制造步骤中使用的光阻组成物以滤器进行过滤而予以制造的方法,其特征为:使用在利用有机溶剂之萃取中每单位滤器表面积(m2)之溶出物之重量为5mg以下之滤器作为该滤器而进行过滤。
申请公布号 TWI515517 申请公布日期 2016.01.01
申请号 TW103115987 申请日期 2014.05.05
申请人 信越化学工业股份有限公司 发明人 荻原勤;美谷岛佑介;岩渊元亮;森泽拓
分类号 G03F7/26(2006.01);B01D37/00(2006.01);G03F7/004(2006.01);G03F7/075(2006.01);G03F7/11(2006.01) 主分类号 G03F7/26(2006.01)
代理机构 代理人 周良谋;周良吉
主权项 一种含矽光阻下层膜形成用组成物之制造方法,其系藉由将半导体装置之制造步骤中使用的含矽光阻下层膜形成用组成物以滤器进行过滤而予以制造的方法,其特征为:使用在利用有机溶剂之萃取中每单位滤器表面积(m2)之溶出物之重量为5mg以下之滤器作为该滤器而进行过滤,该有机溶剂为丙酮、甲乙酮、环己酮、四氢呋喃、二烷、乙二醇二甲醚、二乙二醇二甲醚、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乳酸乙酯、乙基赛珞苏乙酸酯、丙二醇甲醚乙酸酯、gamma丁内酯、苯、甲苯、二甲苯、二氯甲烷、二氯乙烷、二氯乙烯或三氯乙烯中之任一者或此等之组合。
地址 日本