| 发明名称 |
蚀刻液及使用此蚀刻液之半导体装置之制造方法 |
| 摘要 |
明旨在提供一种蚀刻液及使用此蚀刻液之半导体装置之制造方法，用于包含电极之半导体基板之再配线，可选择性地不蚀刻镍而蚀刻铜。 |
| 申请公布号 |
TWI515337 |
申请公布日期 |
2016.01.01 |
| 申请号 |
TW099144000 |
申请日期 |
2010.12.15 |
| 申请人 |
三菱瓦斯化学股份有限公司 |
发明人 |
细见彰良;大前健佑 |
| 分类号 |
C23F1/18(2006.01);H01L21/306(2006.01) |
主分类号 |
C23F1/18(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
周良谋;周良吉 |
| 主权项 |
一种半导体装置之制造方法，包含蚀刻程序，该蚀刻程序使用包含过氧化氢与枸橼酸，过氧化氢含量为0.75~12质量%，枸橼酸含量为1~20质量%，且过氧化氢与枸橼酸之莫尔比在0.3~5范围内之蚀刻液选择性地不蚀刻镍而蚀刻铜。
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| 地址 |
日本 |
