Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族化合物之Ⅰ-Ⅲ族前驱物薄膜之制造方法

摘要

明系有关于一种太阳能电池之前驱物特性控制方法，该前驱物薄膜包含I-III族之铜、铟、镓元素或至少铜元素与铟元素，本发明所提供前驱物特性控制方法系先沉积I-III族之铜铟镓金属元素薄膜于基板上，接着在真空环境下使用惰性气体之离子源轰击铜铟镓前驱物薄膜，控制该铜铟镓前驱物薄膜薄膜之晶相型态、成分比例及均匀性，最后经退火处理或硒化处理，得到一铜铟镓硒吸收层薄膜，进而控制该I-III-VI族化合物之铜铟镓硒薄膜之晶相型态、成分比例、表面型态及均匀性，并应用于I-III-VI族太阳能电池之制作。

主权项

一种I-III-VI族化合物之I-III族前驱物薄膜之制造方法，该方法系包含以下步骤：取一基板；沉积I-III族之铜、铟、镓元素于该基板上，形成至少一个铜铟合金薄膜及至少一个铜铟镓合金薄膜；利用惰性气体之离子源轰击该铜铟合金薄膜及铜铟镓合金薄膜，形成一单一结晶相之I-III族合金前驱物薄膜，其中该I-III族合金前驱物薄膜之铜含量与铟含量的比例值为介于1/1.25与1/0.83之间。