发明名称 METHOD OF POLISHING SUBSTRATE
摘要 <p>웨이퍼 표면의 산화막으로 인한 마찰력 상승 및 연마속도 저하를 방지하고 웨이퍼의 평탄도를 향상시킬 수 있는 웨이퍼 연마방법이 개시된다. 스톡 연마와 파이널 연마가 순차적으로 수행되는 웨이퍼 연마 공정에서 파이널 연마 단계 초기에 산화막을 제거하기 위한 파이널 연마 단계는, 경질의 제1 연마패드를 사용하고 고분자가 첨가된 콜로이달 슬러리를 사용하여 상기 웨이퍼를 연마하는 1차 연마 단계 및 상기 1차 연마된 웨이퍼를 상기 제1 연마패드보다 연질의 연마패드를 사용하여 연마하는 2차 연마 단계로 이루어질 수 있다.</p>
申请公布号 KR101581469(B1) 申请公布日期 2015.12.31
申请号 KR20090090089 申请日期 2009.09.23
申请人 주식회사 엘지실트론 发明人 안진우;최은석;유환수;문지훈;김봉우
分类号 H01L21/304 主分类号 H01L21/304
代理机构 代理人
主权项
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