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<p>수직형 NAND 구조는 적어도 두 가지 기능 모드를 갖는 하나 이상의 중간 스트링(mid-string) 디바이스를 포함한다. 제1 모드에서, 상기 하나 이상의 중간 스트링 디바이스는 소거 동작을 위해 NAND 메모리 셀들의 스택들의바디(bodies)를 기판에 결합한다. 제2 모드에서, 상기 하나 이상의 중간 스트링 디바이스는 제1 스택의 NAND 메모리 셀들의 바디를 제2 스택의 NAND 메모리 셀들의 바디에 결합하여, 판독 및 프로그래밍 동작을 위해 두 스택이 단일 NAND 스트링으로 동작하도록 한다.</p> |
