| 摘要 |
<p>Verfahren zum Herstellen eines mit dreidimensionalen Verdrahtungslagen versehenen Halbleiterchips, bei dem zwischen zwei Oberflächen eines Halbleitersubstrats (1), in das eine elektronische Schaltung des Halbleiterchips integriert ist, eine Durchkontaktierung hergestellt wird, wobei das Verfahren folgende Schritte umfasst:–Bohren eines ersten Durchgangslochs (3) in das Halbleitersubstrat (1),–Aufbringen jeweils eines Oberflächenbelags (4) auf jede von zwei Oberflächen des Halbleitersubstrats (4), wobei der Oberflächenbelag (4) eine der jeweiligen Oberfläche des Halbleitersubstrats (1) zugewandte dielektrische Schicht (6) umfasst,–Anpressen der Oberflächenbeläge (4) an das Halbleitersubstrat (1), so dass das erste Durchgangsloch (3) vollständig von einem die dielektrische Schicht (6) der Oberflächenbeläge (4) bildenden, in das erste Durchgangsloch (3) hineingedrückten dielektrischen Material gefüllt wird,–Bohren eines zweiten Durchgangslochs (7) durch das das erste Durchgangsloch (3) füllende Material, wobei eine Bohrlochwand des ersten Durchgangslochs (3) vollständig abgedeckt bleibt,–Metallisieren einer Bohrlochwand des zweiten Durchgangslochs (3), wobei eine dabei entstehende leitfähige Beschichtung dieser Bohrlochwand an jedem Ende des zweiten Durchgangslochs (7) einen elektrischen Kontakt erhält zu einer Metallschicht (5), die von dem dort am Halbleitersubstrat (1) anliegenden Oberflächenbelag (4) umfasst ist oder in einem Arbeitsschritt mit dem Metallisieren der Bohrlochwand oder in einem früheren Arbeitsschritt zumindest stellenweise auf der dielektrischen Schicht (6) aufgebracht wird.</p> |
